深圳市华斯顿科技有限公司

产品属性类型描述类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）

产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Ta）
驱动电压（ Rds On，Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
4.9 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)
3.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
62 nC @ 10 V
Vgs
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
4810 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散
3.1W（Ta），195W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
CSD19532